![](../template/hn-aefmc/image/item_sign.gif)
![](../template/hn-aefmc/image/item_sign.gif)
![](../template/hn-aefmc/image/item_sign.gif)
![](../template/hn-aefmc/image/item_sign.gif)
![](../template/hn-aefmc/image/item_sign.gif)
درباره مجله عضویت در مجله شناسنامه مجله ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() مقالات منتشر شده ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() آمار بازدید ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
صفحه اصلی > طراحی و پیاده سازی گیت های NOT، AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی
.: طراحی و پیاده سازی گیت های NOT، AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی طراحی و پیاده سازی گیت های NOT، AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی
مریم شاویسی1*، عباس رضایی2
1- کارشناسی ارشد، گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه 2- استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
*Maryam.shavisi.91@gmail.com
ارسال: دی ماه 97 پذیرش: فروردین ماه 98 چکيده در فناوری نانو و محاسبات کوانتومی مدرن، منطق برگشتپذیر نقش مهمی ایفا میکند زیرا در گیتهای برگشتپذیر به دلیل پاک کردن عملیات بیتی میتوان از اتلاف توان جلوگیری کرد، در این مقاله ضمن معرفی گیتهای برگشتپذیر متداول، چگونگی پیادهسازی گیتهای NOT، AND و XOR با بکارگیری گیتهای برگشتپذیر بررسی و استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی جهت پیادهسازی گیتهای برگشتپذیر در سطح مداری باهدف غلبهبر مشکلات ناشی از کاهش ابعاد در تکنولوژی CMOS پیشنهاد میشود، نتایج شبیهسازی بیانگر این استکه اگر با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت، برای ایجاد یک گیت NOT از گیت برگشتپذیر Feynman استفاده شود، متوسط توان مصرفی 20/97% و با استفاده از گیت برگشتپذیر Fredkin، 99/99% کاهش دادهشده میشود. برای گیت AND نیز اگر از گیتهای برگشتپذیر Fredkin، Peres و Toffoli استفاده شود، مقدار متوسط توان مصرفی با ولتاژ تغذیه 9/0 بهترتیب 45/98%، 87/90% و 04/89% کاهش مییابد، همچنین اگر از خروجی Q گیتهای برگشتپذیر Feynman و Peres بهعنوان گیت XOR برای دو ورودی استفاده شود، با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت مقدار متوسط توان مصرفی بهترتیب، 97/99% و 78/99% کاهش داده میشود، برای شبیهسازی مدارها نیز از کتابخانه ترانزیستور CNTFET در نرمافزار Hspice استفادهشده است. کلمات کليدي: گیت پایه، گیت برگشتپذیر، ترانزیستور نانولوله کربنی، متوسط توان مصرفی. |
Journal of Science and Engineering Elites www.ElitesJournal.ir www.ElitesJournal.com پست الکترونیک ( ایمیل) : Info@elitesjournal.com تلفن دبیرخانه: 44258197 -021 ساعات پاسخگوئی به تماس: همه روزه از ساعت 11 الی 17 (به جز جمعه ها و ایام تعطیل) فکس دبیرخانه : 89780710-021 |